RJP65T43DPM-00#T1

Renesas Electronics America Inc

RJP65T43DPM-00#T1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

ABU / IGBT

AktivTO-220-3 Full PackAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Gate Charge70 nC
IGBT TypeTrench
EingangstypStandard
HerstellerRenesas Electronics America Inc
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
Switching Energy170µJ (on), 110µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C30ns/107ns
Test Condition400V, 20A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 20A

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)40 A
Power - Max68.8 W

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-220-3 Full Pack
Hersteller-GehäuseTO-3PFM

Umwelt

Betriebstemperatur175°C(TJ)