RJK60S5DPK-M0#T0

Renesas Electronics America Inc

RJK60S5DPK-M0#T0

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 600V 20A TO3PSG

ObsoletTO-3P-3, SC-65-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs178mOhm @ 10A, 10V
FET FeatureSuper Junction
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1600 pF @ 25 V
HerstellerRenesas Electronics America Inc
MontageartThrough Hole
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)

Elektrisch

Drain-Source-Spannung600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-3P-3, SC-65-3
Hersteller-GehäuseTO-3PSG