RJK4013DPE-00#J3

Renesas Electronics America Inc

RJK4013DPE-00#J3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 400V 17A 4LDPAK

AktivSC-83Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs300mOhm @ 8.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1450 pF @ 25 V
HerstellerRenesas Electronics America Inc
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V

Elektrisch

Drain-Source-Spannung400 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C17A (Ta)
Max. Verlustleistung100W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseSC-83
Hersteller-GehäuseLDPAK

Umwelt

Betriebstemperatur150°C(TJ)