Allgemein
| Speichertyp | Volatile |
|---|---|
| Technologie | SRAM - Asynchronous |
| Zugriffszeit | 70 ns |
| Basis-Teilenummer | R1WV6416 |
| Hersteller | Renesas Electronics America Inc |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Schreibzykluszeit | 70ns |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Speichergröße | 64Mbit |
|---|---|
| Speicherformat | SRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Versorgungsspannung | 2.7V ~ 3.6V |
| Memory Organization | 4M x 16, 8M x 8 |
Mechanisch
| Gehäuse | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | 48-TFBGA |
| Hersteller-Gehäuse | 48-TFBGA (8.5x11) |
Umwelt
| Betriebstemperatur | -40°C~85°C(TA) |
|---|