R1RP0408DGE-2PI#B1

Renesas Electronics America Inc

R1RP0408DGE-2PI#B1

Datenblatt

Speicher & Storage

IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ

Aktiv36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)Speicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSRAM
Zugriffszeit12 ns
Basis-TeilenummerR1RP0408
HerstellerRenesas Electronics America Inc
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Schreibzykluszeit12ns

Elektrisch

Speichergröße4Mbit
SpeicherformatSRAM
Memory InterfaceParallel
Versorgungsspannung4.5V ~ 5.5V
Memory Organization512K x 8

Mechanisch

GehäuseTube
Package / Case36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Hersteller-Gehäuse36-SOJ

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C~85°C(TA)