R1LV0408DSB-5SI#B0

Renesas Electronics America Inc

R1LV0408DSB-5SI#B0

Datenblatt

Speicher & Storage

IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II

Obsolet32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)Speicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypVolatile
TechnologieSRAM
Zugriffszeit55 ns
Basis-TeilenummerR1LV0408D
HerstellerRenesas Electronics America Inc
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
Schreibzykluszeit55ns

Elektrisch

Speichergröße4Mbit
SpeicherformatSRAM
Memory InterfaceParallel
Versorgungsspannung2.7V ~ 3.6V
Memory Organization512K x 8

Mechanisch

GehäuseTray
Package / Case32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
Hersteller-Gehäuse32-TSOP II

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C~85°C(TA)