NP75N055YUK-E1-AY

Renesas Electronics America Inc

NP75N055YUK-E1-AY

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

POWER TRS2

Aktiv8-PowerLDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.5mOhm @ 38A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5300 pF @ 25 V
HerstellerRenesas Electronics America Inc
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieAutomotive, AEC-Q101
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C75A (Tc)
Max. Verlustleistung1W (Ta), 138W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerLDFN
Hersteller-Gehäuse8-HSON (5x5.4)

Umwelt

Betriebstemperatur175°C