HIP6602BCR

Renesas Electronics America Inc

HIP6602BCR

Analog & Leistungselektronik

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16QFN

Obsolet16-VQFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerHIP6602B
Channel TypeSynchronous
Driven ConfigurationHalf-Bridge
Gate TypeN-Channel MOSFET
EingangstypNon-Inverting
HerstellerRenesas Electronics America Inc
MontageartSurface Mount
Number of Drivers4
Product StatusObsolete
Rise / Fall Time (Typ)20ns, 20ns

Elektrisch

High Side Voltage - Max (Bootstrap)15 V
Versorgungsspannung10.8V ~ 13.2V

Mechanisch

GehäuseTube
Package / Case16-VQFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse16-QFN (5x5)

Umwelt

Betriebstemperatur0°C~125°C(TJ)