H5N3007FL-M0-E#T2

Renesas Electronics America Inc

H5N3007FL-M0-E#T2

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 300V 15A TO220FL

AktivTO-220-3 Full PackAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs160mOhm @ 7.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2180 pF @ 25 V
HerstellerRenesas Electronics America Inc
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung300 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15A (Ta)
Max. Verlustleistung35W (Tc)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseTO-220-3 Full Pack
Hersteller-GehäuseTO-220FL

Umwelt

Betriebstemperatur150°C