2SK2225-E

Renesas Electronics America Inc

2SK2225-E

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 1500V 2A TO3PFM

AktivTO-3PFM, SC-93-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs12Ohm @ 1A, 15V
Basis-Teilenummer2SK2225
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds984.7 pF @ 30 V
HerstellerRenesas Electronics America Inc
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V

Elektrisch

Drain-Source-Spannung1500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2A (Ta)
Max. Verlustleistung50W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-3PFM, SC-93-3
Hersteller-GehäuseTO-3PFM

Umwelt

Betriebstemperatur150°C(TJ)