2SK2933-E

Renesas

2SK2933-E

Analog & Leistungselektronik

2SK2933 - N-CHANNEL POWER MOSFET

ObsoletTO-220-3 Full PackAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs52mOhm @ 8A, 10V
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds500 pF @ 10 V
HerstellerRenesas
MontageartThrough Hole
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15A (Ta)
Max. Verlustleistung25W (Ta)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseTO-220-3 Full Pack
Hersteller-GehäuseTO-220CFM

Umwelt

Betriebstemperatur150°C