2SK2857-T1-AZ

Renesas

2SK2857-T1-AZ

Analog & Leistungselektronik

2SK2857-T1-AZ - N-CHANNEL MOSFET

ObsoletTO-243AAAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs150mOhm @ 2.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds265 pF @ 10 V
HerstellerRenesas
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A (Ta)
Max. Verlustleistung2W (Ta)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseTO-243AA
Hersteller-GehäuseSC-62

Umwelt

Betriebstemperatur150°C