2SK2157C-T1-AZ

Renesas

2SK2157C-T1-AZ

Analog & Leistungselektronik

2SK2157C-T1-AZ - N-CHANNEL MOS F

ObsoletTO-243AAAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs63mOhm @ 2A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds260 pF @ 10 V
HerstellerRenesas
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.5A (Ta)
Max. Verlustleistung2W (Ta)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseTO-243AA
Hersteller-GehäuseMP-2

Umwelt

Betriebstemperatur150°C