2SJ358-T1-AZ

Renesas

2SJ358-T1-AZ

Analog & Leistungselektronik

2SJ358-T1-AZ - P-CHANNEL MOS FET

ObsoletTO-243AAAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs300mOhm @ 1.5A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs23.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds600 pF @ 10 V
HerstellerRenesas
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)+10V, -20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A (Ta)
Max. Verlustleistung2W (Ta)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseTO-243AA
Hersteller-GehäuseMP-2

Umwelt

Betriebstemperatur150°C