Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 158mOhm @ 10A, 15V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Hersteller | PN Junction Semiconductor |
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Serie | P3M |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +20V, -8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 5mA |
| Drain-Source-Spannung | 650 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 27A |
| Max. Verlustleistung | 131W |
| Gehäuse | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-247-4 |
| Hersteller-Gehäuse | TO-247-4L |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
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