Allgemein
| FET Type | N-Channel |
|---|---|
| Hersteller | PN Junction Semiconductor |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | +10V, -20V |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Drain-Source-Spannung | 650 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A |
| Max. Verlustleistung | 55.5W |
Mechanisch
| Gehäuse | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Hersteller-Gehäuse | DFN8*8 |
Umwelt
| Betriebstemperatur | -55°C~150°C(TJ) |
|---|