PSMB055N08NS1_R2_00601

Panjit International Inc

PSMB055N08NS1_R2_00601

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

80V/ 5.5MOHM / MV MOSFET

AktivTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs5.5mOhm @ 50A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs48 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4773 pF @ 40 V
HerstellerPanjit International Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.75V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)7V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C108A (Tc)
Max. Verlustleistung113.6W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Hersteller-GehäuseTO-263

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)