PSMB050N10NS2_R2_00601

Panjit International Inc

PSMB050N10NS2_R2_00601

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

100V/ 5MOHM/ LOW FOM MOSFET

AktivTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263ABAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs5mOhm @ 50A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3910 pF @ 50 V
HerstellerPanjit International Inc.
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusAktiv
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.8V @ 270µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C120A (Tj)
Max. Verlustleistung138W (Tc)

Mechanisch

Package / CaseTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Hersteller-GehäuseTO-263

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)