PJW5N10A_R2_00001

Panjit International Inc

PJW5N10A_R2_00001

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

AktivTO-261-4, TO-261AAAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs115mOhm @ 4A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1413 pF @ 25 V
HerstellerPanjit International Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.5A (Ta), 5A (Tc)
Max. Verlustleistung3.1W (Ta), 5.2W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA
Hersteller-GehäuseSOT-223

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)