PJW1NA60B_R2_00001

Panjit International Inc

PJW1NA60B_R2_00001

Analog & Leistungselektronik

600V N-CHANNEL MOSFET

ObsoletTO-261-4, TO-261AAAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs10Ohm @ 500mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds210 pF @ 25 V
HerstellerPanjit International Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C400mA (Ta)
Max. Verlustleistung3.3W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA
Hersteller-GehäuseSOT-223

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)