PJT7601_R1_00001

Panjit International Inc

PJT7601_R1_00001

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N/P-CH 20V 0.5A SOT363

Aktiv6-TSSOP, SC-88, SOT-363Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs400mOhm @ 500mA, 4.5V, 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V
Basis-TeilenummerPJT7601
KonfigurationN and P-Channel Complementary
FET FeatureLogic Level Gate, 1.2V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds67pF @ 10V, 38pF @ 10V
HerstellerPanjit International Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C500mA (Ta)
Power - Max350mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Hersteller-GehäuseSOT-363

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)