PJS6602_S2_00001

Panjit International Inc

PJS6602_S2_00001

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N/P-CH 20V 5.2A SOT23-6

AbgekündigtSOT-23-6Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs36mOhm @ 5.2A, 4.5V, 82mOhm @ 3.4A, 4.5V
Basis-TeilenummerPJS6602
KonfigurationN and P-Channel Complementary
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.1nC @ 4.5V, 7nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds396pF @ 10V, 522pF @ 10V
HerstellerPanjit International Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.2A (Ta), 3.4A (Ta)
Power - Max1.25W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-23-6
Hersteller-GehäuseSOT-23-6

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)