PJS6601-AU_S1_000A1

Panjit International Inc

PJS6601-AU_S1_000A1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N/P-CH 20V 4.1A SOT23-6

AktivSOT-23-6Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs56mOhm @ 4.1A. 4.5V, 115mOhm @ 3.1A, 4.5V
Basis-TeilenummerPJS6601
KonfigurationN and P-Channel Complementary
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.6nC @ 4.5V, 5.4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds350pF @ 10V, 416pF @ 10V
HerstellerPanjit International Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.1A (Ta), 3.1A (Ta)
Power - Max1.25W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-23-6
Hersteller-GehäuseSOT-23-6

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)