PJS6415AE_S1_00001

Panjit International Inc

PJS6415AE_S1_00001

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

AbgekündigtSOT-23-6Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs60mOhm @ 4.9A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds602 pF @ 10 V
HerstellerPanjit International Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.9A (Ta)
Max. Verlustleistung2W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-23-6
Hersteller-GehäuseSOT-23-6

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)