PJS6412_S1_00001

Panjit International Inc

PJS6412_S1_00001

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

AktivSOT-23-6Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs23mOhm @ 8A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds392 pF @ 25 V
HerstellerPanjit International Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A (Ta)
Max. Verlustleistung2W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-23-6
Hersteller-GehäuseSOT-23-6

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)