PJQ5850_R2_00001

Panjit International Inc

PJQ5850_R2_00001

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 40V 5A/14A 8DFN

Abgekündigt8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs33mOhm @ 8A, 10V
Basis-TeilenummerPJQ5850
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds425pF @ 25V
HerstellerPanjit International Inc.
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR)
TeilestatusNot For New Designs
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5A (Ta), 14A (Tc)
Power - Max1.7W (Ta), 12W (Tc)

Mechanisch

Package / Case8-PowerTDFN
Hersteller-GehäuseDFN5060B-8

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)