PJQ5846_R2_00001

Panjit International Inc

PJQ5846_R2_00001

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 40V 9.5A/40A 8DFN

Aktiv8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs10.5mOhm @ 8A, 10V
Basis-TeilenummerPJQ5846
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1258pF @ 25V
HerstellerPanjit International Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9.5A (Ta), 40A (Tc)
Power - Max1.7W (Ta), 32W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerTDFN
Hersteller-GehäuseDFN5060B-8

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)