PJQ5494_R2_00001

Panjit International Inc

PJQ5494_R2_00001

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

Aktiv8-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs35mOhm @ 20A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2207 pF @ 75 V
HerstellerPanjit International Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5A (Ta), 40A (Tc)
Max. Verlustleistung2W (Ta), 131W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
Hersteller-GehäuseDFN5060-8

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)