PJQ4602_R1_00001

Panjit International Inc

PJQ4602_R1_00001

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N/P-CH 30V 6.4A 8DFN

Abgekündigt8-PowerWDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs28mOhm @ 6A, 10V, 31mOhm @ 4A, 10V
Basis-TeilenummerPJQ4602
KonfigurationN and P-Channel Complementary
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.8nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds343pF @ 15V, 870pF @ 15V
HerstellerPanjit International Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 250µA, 2.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.4A (Ta), 18.5A (Tc), 6.4A (Ta), 18A (Tc)
Power - Max2W (Ta), 17.8W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerWDFN
Hersteller-GehäuseDFN3030B-8

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)