PJQ4437EP-AU_R2_002A1

Panjit International Inc

PJQ4437EP-AU_R2_002A1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Aktiv8-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs15.4mOhm @ 10A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1270 pF @ 25 V
HerstellerPanjit International Inc.
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusAktiv
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Ta), 41A (Tc)
Max. Verlustleistung2.5W (Ta), 41W (Tc)

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101