PJQ4416EP_R2_00001

Panjit International Inc

PJQ4416EP_R2_00001

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Abgekündigt8-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs11mOhm @ 10A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1117 pF @ 10 V
HerstellerPanjit International Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11A (Ta), 30A (Tc)
Max. Verlustleistung2W (Ta), 26W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
Hersteller-GehäuseDFN3333-8

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)