PJQ4411P_R2_00001

Panjit International Inc

PJQ4411P_R2_00001

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Aktiv8-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs8mOhm @ 8A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs46.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4659 pF @ 15 V
HerstellerPanjit International Inc.
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusAktiv
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C13A (Ta), 60A (Tc)
Max. Verlustleistung2W (Ta), 60W (Tc)

Mechanisch

Package / Case8-PowerVDFN
Hersteller-GehäuseDFN3333-8

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)