PJQ4409P_R2_00001

Panjit International Inc

PJQ4409P_R2_00001

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Abgekündigt8-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 4A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds870 pF @ 15 V
HerstellerPanjit International Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.5A (Ta), 24A (Tc)
Max. Verlustleistung2W (Ta), 30W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
Hersteller-GehäuseDFN3333-8

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)