PJQ4402P_R2_00001

Panjit International Inc

PJQ4402P_R2_00001

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Aktiv8-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.8mOhm @ 10A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2436 pF @ 25 V
HerstellerPanjit International Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C16A (Ta), 70A (Tc)
Max. Verlustleistung2W (Ta), 39W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
Hersteller-GehäuseDFN3333-8

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)