PJQ2800_R1_00001

Panjit International Inc

PJQ2800_R1_00001

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 6DFN

Aktiv6-VDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs32mOhm @ 5.2A, 4.5V
Basis-TeilenummerPJQ2800
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.3nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds515pF @ 10V
HerstellerPanjit International Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.2A (Ta)
Power - Max1.45W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-VDFN Exposed Pad
Hersteller-GehäuseDFN2020-6L

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)