PJQ2422_R1_00001

Panjit International Inc

PJQ2422_R1_00001

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

DFN2020B-6L, MOSFET

Aktiv6-WDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs18mOhm @ 8A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds392 pF @ 25 V
HerstellerPanjit International Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A (Ta)
Max. Verlustleistung2W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-WDFN Exposed Pad
Hersteller-GehäuseDFN2020B-6

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)