PJQ2405_R1_00001

Panjit International Inc

PJQ2405_R1_00001

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Aktiv6-WDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs32mOhm @ 7.2A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1785 pF @ 10 V
HerstellerPanjit International Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7.2A (Ta)
Max. Verlustleistung2.8W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case6-WDFN Exposed Pad
Hersteller-GehäuseDFN2020B-6

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)