PJQ1906_R1_00001

Panjit International Inc

PJQ1906_R1_00001

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 300MA DFN-3L

Aktiv3-UFDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.2Ohm @ 300mA, 4.5V
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds45 pF @ 10 V
HerstellerPanjit International Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.2V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C300mA (Ta)
Max. Verlustleistung700mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case3-UFDFN
Hersteller-Gehäuse3-DFN (1x0.6)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)