PJMD360N60EC_L2_00001

Panjit International Inc

PJMD360N60EC_L2_00001

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

600V SUPER JUNCITON MOSFET

AktivTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs360mOhm @ 5.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds735 pF @ 400 V
HerstellerPanjit International Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11A (Tc)
Max. Verlustleistung87.5W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Hersteller-GehäuseTO-252AA

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)