PJE8472B_R1_00001

Panjit International Inc

PJE8472B_R1_00001

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

AktivSOT-523Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs3Ohm @ 600mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.82 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds34 pF @ 25 V
HerstellerPanjit International Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C200mA (Ta)
Max. Verlustleistung300mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-523
Hersteller-GehäuseSOT-523

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)