PJE8412_R1_00001

Panjit International Inc

PJE8412_R1_00001

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

AbgekündigtSOT-523Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.87 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds34 pF @ 15 V
HerstellerPanjit International Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V
Vgs(th) (Max) @ Id1.1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C350mA (Ta)
Max. Verlustleistung300mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-523
Hersteller-GehäuseSOT-523

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)