PJD4NA65_R2_00001

Name: PJD4NA65_R2_00001
Brand: Panjit International Inc

Analog & Leistungselektronik

650V N-CHANNEL MOSFET

AktivTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63Analog & Leistungselektronik

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.7Ohm @ 2A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	463 pF @ 25 V
Hersteller	Panjit International Inc.
Montageart	Surface Mount
Verpackung	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Teilestatus	Aktiv
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±30V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA

Drain-Source-Spannung	650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4A (Ta)

Package / Case	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Hersteller-Gehäuse	TO-252AA

Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)