PJD4NA50A_L2_00001

Panjit International Inc

PJD4NA50A_L2_00001

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

500V N-CHANNEL MOSFET

AbgekündigtTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.3Ohm @ 2A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds449 pF @ 25 V
HerstellerPanjit International Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A (Ta)
Max. Verlustleistung78W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Hersteller-GehäuseTO-252

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)