PJD14P10A_L2_00001

Panjit International Inc

PJD14P10A_L2_00001

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

100V P-CHANNEL MOSFET

AktivTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs140mOhm @ 7A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs40.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2298 pF @ 30 V
HerstellerPanjit International Inc.
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusAktiv
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.5A (Ta), 14A (Tc)
Max. Verlustleistung2W (Ta), 60W (Tc)

Mechanisch

Package / CaseTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Hersteller-GehäuseTO-252AA

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)