PJD10N10_L2_00001

Panjit International Inc

PJD10N10_L2_00001

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

100V N-CHANNEL MOSFET

AbgekündigtTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs130mOhm @ 5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds707 pF @ 30 V
HerstellerPanjit International Inc.
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR)
TeilestatusNot For New Designs
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.6A (Ta), 34.7A (Tc)
Max. Verlustleistung2W (Ta), 34.7W (Tc)

Mechanisch

Package / CaseTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Hersteller-GehäuseTO-252AA

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)