PCDB20120G1_R2_00001

Panjit International Inc

PCDB20120G1_R2_00001

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

DIODE SIL CARB 1.2KV 20A TO263

AktivAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerPCDB20120
Capacitance @ Vr, F1040pF @ 1V, 1MHz
HerstellerPanjit International Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)0 ns
TechnologieSiC (Silicon Carbide) Schottky

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.7 V @ 20 A
Current - Average Rectified (Io)20A
Current - Reverse Leakage @ Vr180 µA @ 1200 V
GeschwindigkeitNo Recovery Time > 500mA (Io)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Hersteller-GehäuseTO-263

Umwelt

Operating Temperature - Junction-55°C ~ 175°C