PCDB0865G1_R2_00001

Panjit International Inc

PCDB0865G1_R2_00001

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO263

AktivAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerPCDB0865
Capacitance @ Vr, F296pF @ 1V, 1MHz
HerstellerPanjit International Inc.
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)0 ns
TechnologieSiC (Silicon Carbide) Schottky

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.7 V @ 8 A
Current - Average Rectified (Io)8A
Current - Reverse Leakage @ Vr60 µA @ 650 V
GeschwindigkeitNo Recovery Time > 500mA (Io)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Hersteller-GehäuseTO-263

Umwelt

Operating Temperature - Junction-55°C ~ 175°C