VEC2616-TL-W

onsemi

VEC2616-TL-W

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A SOT28

Obsolet8-SMD, Flat LeadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs80mOhm @ 1.5A, 10V
Basis-TeilenummerVEC2616
KonfigurationN and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate, 4V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds505pF @ 20V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.6V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A, 2.5A
Power - Max1W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-SMD, Flat Lead
Hersteller-GehäuseSOT-28FL/VEC8

Umwelt

Betriebstemperatur150°C (TJ)