SVC6H890N

onsemi

SVC6H890N

Analog & Leistungselektronik

SVC6H890N

AbgekündigtDieAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs530µOhm @ 50A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs485 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds31000 pF @ 48 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusLast Time Buy
SerieAutomotive, AEC-Q101
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.7V @ 1.4mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C620A (Ta)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseDie
Hersteller-GehäuseDie

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)