Allgemein
| Basis-Teilenummer | SBE812 |
|---|---|
| Diode Configuration | 2 Independent |
| Hersteller | onsemi |
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Reverse Recovery Time (trr) | 10 ns |
| Technologie | Schottky |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 60 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 600 mV @ 1 A |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 30 µA @ 30 V |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Mechanisch
| Gehäuse | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Hersteller-Gehäuse | 8-VEC |
Umwelt
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 125°C |
|---|